本裝置由我公司和中國科學院材料物理重點(diǎn)實驗室聯合研制，由溫度控制系統、真空系統和單(dān)晶爐爐體等部分組成。

主要實驗内容

1、制備(bèi)金屬氧化物類單(dān)晶，如 SrMoO3 等；

2、制備(bèi)氧化物高溫超導體，如钇鋇(bèi)銅氧等；

3、制備(bèi)非氧化物單(dān)晶，如單(dān)晶矽、單(dān)晶碳化矽等；

4、在 1550℃以下大氣、真空或氣氛保護下進行單晶生長(zhǎng)
、材料熱處(chù)理、固相反應材料合成等。

主要技術特點

1、一機多用，可開設多個綜合性、研究性實驗：既可制備(bèi)氧化物類單(dān)晶，又可制備(bèi)非氧化物類或厭氧類單(dān)晶，具有很高的性能價格比；

2、採(cǎi)用特殊的做爐膛保溫材料，具有密度小，保溫性能好等特點(diǎn)；

3、採(cǎi)用抽真空結合保護(hù)氣氛，既可以抽真空，又可以通入不同的氣體；

4、溫度採(cǎi)用程序控制，實現智能化，最高溫度可達(dá)：1550℃；溫度梯度
：約 5℃ /cm。

主要技術參數

1、電(diàn)源 AC 220V50/60Hz；額(é)定功率：5kW；

2、爐(lú)膛尺寸：Φ185mm×185mm；加熱區(qū)尺寸：150mm；

3、溫度控制範(fàn)圍(wéi)：100 ～ 1600℃，控制精度 :±1℃，升溫速率：10℃ /min；

4、報(bào)警保護：上、下限，正、負偏差 , 斷(duàn)偶等報(bào)警；

5、進(jìn)氣(qì)系統：一路質量流量控制器。