用於(yú)測試半導體材料電阻率及方塊電阻 ( 薄層電阻 )、功能材料暗電導和光電導及溫度的變(biàn)化的特性。

1、本底真空度：≤ 10Pa，真空可控範(fàn)圍(wéi)：10 ～ 400Pa；

2、襯(chèn)底加熱(rè)溫度：室溫～ 300℃；

3、測(cè)量範圍：電阻率：0.001 ～ 200Ω.cm； 電導(dǎo)率
：0.005 ～ 1000 s/cm； 電阻：0.001 ～ 200Ω.cm；可測(cè)晶片直徑：200mmX200mm 間距：1±0.01mm；針間絕緣電阻：≥ 1000MΩ；機械遊移率：≤ 0.3%；探針：碳化鎢或高速鋼Ф0.5mm；探針壓力：5 ～ 16 牛頓 ( 總力 )；

4、恒流源：電(diàn)流量程分爲 0.1、1、10、100(mA) 四檔(dàng)，各檔(dàng)電(diàn)流連續可調；誤差 <±0.5%；

5、數字電(diàn)壓表：量程：0 ～ 199.99mV；分辨率：10μV；四位半紅色發(fā)光管數字顯示；輸入阻抗 >1000MΩ：精度 :±0.1%；

6、指針式高阻計：電(diàn)阻測(cè)量範圍：1×10 6 ～ 1×10 17 Ω；精度：±10%~±20%；

微電(diàn)流測(cè)試：1×10 -5 ～ 1×10 -14 A；額定電(diàn)壓：10、100、250、500、1000V±5%。