應用領域：

系統可用於(yú)開發納米級的單層(céng)及多層(céng)功能膜和複合膜 , 可鍍(dù)金屬、合金、化合物、半導(dǎo)體、陶瓷膜、介質複合膜和其它化學反應膜等。

  四靶共聚焦濺射：

基本配置：

◆真空腔室
： D 型圓筒形，尺寸約 ф450×H450mm，前開門結構；採(cǎi)用鉸鏈、鋁制前門，手動(dòng)，上下 2 個(gè)杠杆把手，膠(jiāo)圈密封， 腔體内表面採(cǎi)用電解抛光處(chù)理；外表面採(cǎi)用拉絲抛光
，無擦傷及劃痕。 

◆抽氣系統：採(cǎi)用複(fù)合分子泵 + 直聯(lián)旋片泵作爲真空抽氣(qì)系統； 主抽泵：分子泵抽速≥ 1200L/S，氮氣壓縮比≥ 109 ； 前級泵：VRD-30 機械泵及電(diàn)磁閥(fá)，抽速：8L/S 主抽閥： CCD-200 超高真空電動插闆閥 

* 真空系統可以升級(jí)爲進口分子泵和渦旋幹(gàn)泵。 

◆真空測量： 數顯複合真空計： “兩低一高”全量程數顯複合真空計； 自動恒壓採(cǎi)用進口薄膜壓強真空規測(cè)量，範圍：13Pa-0.013Pa（可選擇配置） 

* 真空測(cè)量可以升級爲進口全量程冷陰極(jí)真空計 

◆極限真空：<5×10-5Pa 

◆恢複真空：<6.7×10-4Pa(< 45 min) 

◆磁控濺(jiàn)射靶：（最多四支 2&3 英寸磁控濺射靶）磁控濺射靶磁路模塊化設計；磁控靶可手動(dòng)調(diào)節濺射角度，靶與基片的距 離可調(diào)；其中一個(gè)靶位可濺射磁性材料（如鎳或鐵等）靶材大小爲直徑 50.8mm，厚度≤ 5mm，靶材利用率超過 40%； 

◆鍍膜方式：由下往上濺鍍或從(cóng)上往下濺射，可依需求採(cǎi)用 Confocal（共焦）或 Face-to-Face（面對面）； 

◆濺射電源（可選配置）： 射頻電源： 功率 500W，輸出頻率：13.56MHz，全自動匹配 數量：1 台 直流濺(jiàn)射電(diàn)源：最大輸出功率：500W；輸出電壓：0 ～ -800V 可調 數量：2 台 

◆工藝氣(qì)路：三路質量流量計(jì)控制的氣(qì)路（Ar、O2、N2 ）等 

◆樣(yàng)品台：可容納(nà)樣(yàng)品最大尺寸：6 樣品托一個 , 配擋闆， 轉速 0-30rpm 連續可調 ; 樣品可加熱控溫， 溫度範圍：室溫 -600℃，控溫精度 ±0.5℃； 

◆控制單元：15 英寸觸摸屏 +PLC 控制（可選手動按鈕）

選擇配置：

◆樣品台可水冷，採(cǎi)用直接式水冷形式，水冷不控溫(wēn) ◆可選進口濺射電源 

◆磁控靶可選用進口知名品牌 

◆全量程真空計 (Inficon) 

◆電容式隔膜真空計 ( 測量濺射工作壓力 ) 

◆樣品托 : 不鏽鋼(gāng)、鋁(lǚ)或銅，基片盤上有螺紋孔

系統要求标準配置：

◆工藝氣體 :25psi，純度 99.99% 以上 

◆工作氣體 : 幹燥壓縮空氣、氮氣 

◆電 源 : 三相 380V, 50Hz, 32A 

◆冷 凍 水 :18-25℃ , 6L/min，壓力 <0.4MPa